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　　3、据公司招股书：公司还掌握存储芯片、模拟芯片、射频芯片的一系列分析解决方案，并针对存储芯片高深宽比刻蚀工艺、高密度复杂电路特点、射频芯片SOI工艺等进行技术创新，掌握行业内独特的分析能力，针对高深宽比结构的存储芯片，公司可实现深宽比达到 200:1的清晰观测。除集成电路外，公司在光器件领域掌握针对 BSI工艺特点、光纤异物污染等的创新技术，在分立器件领域掌握3,000V高压分析能力，在传感器领域掌握针对空腔结构的完好表征分析能力，在显示面板掌握超微裂纹纳米荧光检测分析技术，也可实现有机膜层高达16层的清晰辨别，满足不同客户的各类型产品分析需求。